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2SJ530L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.08Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

文件:57.57 Kbytes 页数:9 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ530L

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:94.88 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ530L

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件:976.24 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SJ530L-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:94.88 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ530L

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    DPAK(L)-(2)/TO-251

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -15

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    160

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    100

  • Ciss (pF) 典型值:

    850

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    30

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VB
2024
TO-251
13500
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
询价
RENESAS
20+
TO-251
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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RENESAS/瑞萨
2447
TO-251
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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VBSEMI/台湾微碧
23+
TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货
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RENESAS/瑞萨
2022+
TO-251
50000
原厂代理 终端免费提供样品
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RENESAS
21+
TO-252
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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NEC
23+
TO-251
98900
原厂原装正品现货!!
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RENESAS
2023+
TO-252
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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RENESAS
24+
TO-252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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更多2SJ530L供应商 更新时间2025-10-7 10:12:00