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2SJ527	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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2SJ527L-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	Hight Speed Power Switching HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.3typ. Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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2SJ527S	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527STL-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527(L)_15	文件：113.42 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ527
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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