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2SJ527L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

文件:54.17 Kbytes 页数:9 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ527L

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

文件:93.96 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ527L-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

文件:93.96 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ527L

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    DPAK(L)-(1)/TO-251

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -5

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    800

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    400

  • Ciss (pF) 典型值:

    220

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    20

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS
20+
TO-251
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO251
50000
全新原装正品现货,支持订货
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RENESAS/瑞萨
2022+
TO-251
50000
原厂代理 终端免费提供样品
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VBsemi
21+
TO251
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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VBsemi
24+
TO251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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RENESAS
23+
TO-252
10
全新原装正品现货,支持订货
询价
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO251
60000
询价
RENESAS
25+
TO-252
8800
公司只做原装,详情请咨询
询价
RENESAS
24+
TO-252
16900
原装正品现货支持实单
询价
更多2SJ527L供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00