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2SJ527S	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：93.96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ527S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	Hight Speed Power Switching Hight Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS(on)=0.3 typ. Low drive current High speed switching 4V gate drive devices. 文件：45.39 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ527S	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：54.17 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ527STL-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：93.96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ527STR	文件：988.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.52 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ527S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
DPAK(S)/TO-252
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
800
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
400
Ciss (pF) 典型值：
220
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ527S供应商更新时间2025-12-7 16:02:00

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