2SJ527中文资料Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching数据手册HITACHI规格书
2SJ527规格书详情
描述 Description
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
特性 Features
• Low on-resistance
RDS(on)= 0.3 Ωtyp.
• Low drive current
• 4 V gete drive devices
• High speed switching
技术参数
- 型号：
2SJ527
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon P Channel MOS FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
TO252 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
RENESAS |
25+23+ |
TO252 |
33358 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
RENESAS瑞萨/HITACHI日立 |
24+ |
TO-252 |
8658 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO251 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
30000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
SOT252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
null |
7000 |
询价 | |||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-251 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
HITACHI |
1922+ |
SOT-252 |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 |
