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2SJ527L-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
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2SJ527(L)_15	文件：113.42 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527L	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ527S	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ527S	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	HightSpeedPowerSwitching HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.3typ. Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ527STL-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527STR	文件：988.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2SJ527L-E
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) Box
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
P-channel MOSFET, 60V,5A,3ohm,DPAK-L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	2SJ527L-E	RENESAS	2014+		62	公司现货库存	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SJ527L-E	RENESAS/瑞萨	21+		65230		询价
深圳市汇莱威科技有限公司	2SJ527L-E	RENESAS/瑞萨		TO-251	265209	假一罚十原包原标签常备现货!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SJ527L-E	RENESAS/瑞萨	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	2SJ527L-E	RENESAS/瑞萨	2022	TO-251	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SJ527L-E	RENESAS/瑞萨	23+	NA/	1710	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市仟禧电子有限公司	2SJ527LMOS(场效应管)	RENESAS/瑞萨	22+	TO-251	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	2SJ527MOS(场效应管)	HITACHI/日立	24+	TO220	58000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SJ527S	日立	2017+	TO-252	44558	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	2SJ527S	KEXIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价

更多2SJ527L-E供应商更新时间2024-5-23 16:00:00

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