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2SJ530	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.08Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.57 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ530	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：94.88 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ530	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ530L	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：94.88 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ530L	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.08Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.57 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ530L-E	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：94.88 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ530S	文件：45.38 Kbytes Page：1 Pages	Hight Speed Power Switching Features ● Low on-resistance RDS(on) = 0.08 typ. ● High speed switching ● 4V gate drive devices. 文件：45.38 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ530S	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.08Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.57 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ530S	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：94.88 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ530STL-E	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：94.88 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-15
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
160
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
100
Ciss (pF) 典型值：
850
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ530供应商更新时间2025-10-8 10:12:00

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