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2SJ528L | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.17Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | Hitachi | |
2SJ528L | Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.17Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
2SJ528L | P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
2SJ528L | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching; • Low on-resistance RDS(on) = 0.17 Ω typ.\n• 4 V gete drive devices\n• High speed switching ; | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | |
2SJ528L | Power MOSFETs; | RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | Renesas | |
Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.17Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
技术参数
- 封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
- Nch/Pch：
Pch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
-60
- ID (A)：
-7
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
370
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
220
- Ciss (pF) 典型值：
400
- Vgs (off) (V) 最大值：
-2
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
20
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VB |
2024 |
TO-251 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
D2PAK3LE |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-251 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-252 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO251 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
10 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-251 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-252 |
100 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
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