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2SJ527STL-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：93.96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ527STR	文件：988.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.52 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ527	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：93.96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ527	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：54.17 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ527(L)_15	文件：113.42 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：113.42 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SJ527STL-E供应商更新时间2025-10-6 10:24:00