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2SJ527STL-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：93.96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ527STR	文件：988.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.52 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ527	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：54.17 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ527L	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：54.17 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ527L-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：93.96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ527STL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET

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