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2SJ529L	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ529L	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529L	文件：976.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ529L-E	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529S	文件：988.31 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ529S	文件：324.57 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SJ529S	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.12typ. Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ529S	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ529STL-E	文件：988.34 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2SJ529L
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET

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更多2SJ529L供应商更新时间2025-5-9 16:40:00

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