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2SJ529S	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
2SJ529S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	Hight Speed Power Switching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.12typ. Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SJ529S	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ529S	文件：324.57 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SJ529S	文件：988.31 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SJ529STL-E	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ529STL-E	文件：988.34 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SJ529	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
2SJ529	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ529(L)_15	文件：114.08 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ529L	文件：976.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SJ529L	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ529L	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
2SJ529L-E	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
2SJ529S
制造商：
KEXIN
制造商全称：
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
功能描述：
Hight Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳兆威电子有限公司	2SJ529S	RENESAS/瑞萨	22+	TO-252	90000	绝对原装正品现货假一罚十	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	2SJ529S	RENESAS	17+	TO-252	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	2SJ529S	KEXIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	2SJ529S	Renesas	19+	TO-252	59463	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
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更多2SJ529S供应商更新时间2024-4-23 15:48:00

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