2SJ529说明书PDF资料供应商报价日立HITACHI-114ic电子网

首页 >2SJ529>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SJ529	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.04 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ529	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.51 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ529	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ529L	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.51 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ529L	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.04 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ529L-E	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.51 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ529S	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.51 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ529S	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.04 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ529S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	Hight Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ. High speed switching 4V gate drive devices. 文件：45.39 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ529STL-E	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.51 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
240
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
160
Ciss (pF) 典型值：
580
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SJ529	TOSHIBA	24+		66000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SJ529	HIT	1415+		28500	全新原装正品,优势热卖	询价
深圳市利加科技有限公司	2SJ529	RENESAS	16+	TO251	60	全新原装现货	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SJ529	东芝	24+	TO252	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SJ529	RENESAS	25+23+	TO-252	41682	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	2SJ529	FUJI	18+	TO-252	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市能创芯电子科技有限公司	2SJ529	RENESAS/瑞萨	23+	TO-252	3000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SJ529	RENESAS/瑞萨	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ529	TOSHIBA/东芝	22+	TO-252	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SJ529	RENESAS/瑞萨	23+	TO-252	71000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价

更多2SJ529供应商更新时间2026-1-19 16:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号