2SJ526-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
2SJ526-E规格书详情
描述 Description
High speed power switching
特性 Features
• Low on-resistance
RDS (on) = 0.11 Ω typ.
• Low drive current
• 4 V gate drive devices
• High speed switching
产品属性
- 型号：
2SJ526-E
- 制造商：
Renesas Electronics
- 功能描述：
Tray
- 制造商：
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述：
Pch MOSFET,60V,12A,0.11ohm,TO-220FM
- 制造商：
Renesas
- 功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
14+ |
TO-251 |
718 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-251 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
NA |
630 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
HITACHI |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
RENESAS瑞萨/HITACHI日立 |
24+ |
TO-252 |
8658 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO251 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
2014+ |
700 |
公司现货库存 |
询价 | |||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
30000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
