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2SJ526	文件：51.63 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：51.63 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ526	文件：90.97 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：90.97 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ526	文件：319.68 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID=-12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · High fast switching Power Supply 文件：319.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SJ526	文件：1.58356 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.58356 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ526	文件：298.69 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：298.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SJ526	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ526-E	文件：90.97 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：90.97 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ526_15	文件：110.36 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：110.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
230
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
150
Ciss (pF) 典型值：
580
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
25
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SJ526供应商更新时间2025-10-8 17:06:00

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