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7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
7413SYZBE	文件：1.03503 Mbytes Page：14 Pages	7000SeriesMiniatureToggleSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
AM7413P	文件：409.49 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO7413	文件：219.28 Kbytes Page：5 Pages	20VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7413	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7413L	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
HD7413	文件：143.51 Kbytes Page：4 Pages	TTLHD74/HD74SSeries	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
IRF7413	文件：1.84902 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=12A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRF7413A	文件：116.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.0135ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413GPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413GTRPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTARLOWONRESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413PBF	文件：211.18 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413QPBF	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveaval	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413TR	文件：244.97 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413TR	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRF7413TRPBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	fastsuitching	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7413TRPBF	文件：1.89771 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF7413TR(WHIT供应商更新时间2024-5-17 16:40:00

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