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IRF7451	文件：209.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：209.15 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7451	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 150 V IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7451PBF	文件：130.65 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：130.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7451PBF	文件：136.08 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：136.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7451PBF	文件：136.08 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：136.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7451PBF_15	文件：136.08 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：136.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7451TRPBF	文件：136.08 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：136.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5 W
Qgd：
13 nC
QG(typ @10V)：
28 nC
RDS (on)(@10V) max：
90 mΩ
RthJAmax：
50 K/W
Tjmax：
150 °C
VDSmax：
150 V
VGS(th)：
4.25 V
VGSmax：
30 V
Mounting：
SMD
Package：
SO-8
Operating Temperature：
-55 °C to 150 °C
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1
Budgetary Price €/1k：
0.37

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更多IRF7451供应商更新时间2025-10-10 15:32:00

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