| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
26500 |
2019 |
原装正品钻石品质假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
1617 |
1517+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
3520 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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INFINEONSOP8 |
4200 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSOP-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
6273 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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原厂原包原装 |
38560 |
2022+ |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
6000 |
20+原装正品 |
大量现货,免费发样。 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO263 |
9000 |
2021+ |
全新原装正品 现货供应 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
8600 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1119 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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IORNA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IORSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IRPLCC-28 |
18000 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
8653 |
23+ |
IRF7452采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF7452PBF价格：￥1.9182品牌：INTERNATIONAL
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IRF7452 深圳市鑫欧美电子有限公司
型号：IRF7452 品牌:IR 封装:SOP8 数量:10000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC，二、三极电容，电阻，电容 电话：0755-82708963/33167061张小姐，黄先生，QQ：1483286993/592442707 htt
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IRF7452 品牌:IR 封装:SOP8 联系人：黄先生张小姐 联系电话：132466516020755-82708963/33167061 QQ：592442707/1483286993
IRF7452中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7452功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7452HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC
IRF7452PBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7452QPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7452QTRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7452TR功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7452TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF7452TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 4.5A 60mOhm 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
