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IRF7466 | Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) VDSS 30V RDS(on) max(mΩ) 12.5@VGS = 10V ID = 11A Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequ 文件：233.12 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRF7466 | Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SMPS MOSFET VDSS 30V RDS(on) max(mΩ) 12.5@VGS = 10V ID = 11A Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use 文件：131.55 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：579.31 Kbytes 页数：4 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS | ||
75 RF Amplifier 文件：345.15 Kbytes 页数：11 Pages | TriQuint | TriQuint | ||
75 RF Amplifier 文件：345.15 Kbytes 页数：11 Pages | TriQuint | TriQuint |
详细参数
- 型号：
IRF7466
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SOP8 |
9800 |
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SOP8 |
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原厂直接发货进口原装 |
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SOP-3.9-8P |
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原厂 |
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IR |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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