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IRF7466	文件：233.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) VDSS30V RDS(on)max(mΩ) 12.5@VGS=10V ID=11A Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse ●HighFrequ	IRF International Rectifier	IRF
IRF7466PBF	文件：131.55 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET VDSS30V RDS(on)max(mΩ) 12.5@VGS=10V ID=11A Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●Lead-Free Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse	IRF International Rectifier	IRF
SSP7466N	文件：579.31 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TAT7466	文件：345.15 Kbytes Page：11 Pages	75RFAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TAT7466-EB	文件：345.15 Kbytes Page：11 Pages	75RFAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TDA7466	文件：345.7 Kbytes Page：21 Pages	DIGITALLYCONTROLLEDAUDIOPROCESSORWITHSRSSURROUNDSOUNDANDVOICECANCELLER 1STEREOINPUT INPUTATTENUATIONCONTROLIN0.5dB STEP TREBLEMIDDLEANDBASSCONTROL VOICECANCELLERISAVAILABLE STEREOSRSSURROUNDSOUNDWITH CENTER&SPACECONTROLISAVAILABLE THREESTANDARDSURROUNDMODES AREAVAILABLE: -MUSICIN4DIFFERENTSELECTABLE RESPONSES -MOVIEANDSIM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TDA7466	文件：183.13 Kbytes Page：21 Pages	DIGITALLYCONTROLLEDAUDIOPROCESSORWITHSRSSURROUNDSOUNDANDVOICECANCELLER DESCRIPTION TheTDA7466isavolumetone(bassmiddleandtreble)balance(Left/Right)processorswithstereoSRSandvoicecancellerforqualityaudioapplicationsincarradio,Hi-Fi,TVsystems. ■1STEREOINPUT ■INPUTATTENUATIONCONTROLIN0.5dBSTEP ■TREBLEMIDDLEANDBASSCONTROL ■V	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
V7466W	文件：95.84 Kbytes Page：1 Pages	ASS0527HS	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
V7466Y	文件：95.84 Kbytes Page：1 Pages	ASS0527HS	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
V7466Z	文件：95.84 Kbytes Page：1 Pages	ASS0527HS	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN

详细参数

型号：
IRF7466
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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