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IRF7493	文件：155.96 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：155.96 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493	文件：161.53 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converte Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：161.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 80V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7493PBF	文件：159.66 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：159.66 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493TRPBF	文件：161.53 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converte Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：161.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493PBF	文件：165.14 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：165.14 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493PBF_15	文件：165.14 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：165.14 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493PBF-1	文件：224.17 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：224.17 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493PBF-1_15	文件：224.17 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：224.17 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7493PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ，无卤素\n• 符合MSL1，工业认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7493TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
80 V
RDS (on) @10V max：
15 mΩ
ID @25°C max：
9.3 A
QG typ @10V：
35 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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