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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7493PBF | HEXFET짰 Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：159.66 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | |
IRF7493PBF | High frequency DC-DC converters 文件：165.14 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | |
High frequency DC-DC converters 文件：165.14 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：224.17 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：224.17 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
80V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ， 无卤素\n• 符合MSL1，工业认证; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- VDS max：
80.0V
- RDS (on)(@10V) max：
15.0mΩ
- RDS (on) max：
15.0mΩ
- Polarity ：
N
- ID (@ TA=70°C) max：
7.4A
- ID (@ TA=25°C) max：
9.3A
- Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
- QG ：
35.0nC
- RthJA max：
50.0K/W
- Mounting ：
SMD
- VGS max：
20.0V
- Moisture Sensitivity Level ：
1
- Qgd ：
12.0nC
- Tj max：
150.0°C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
IR |
13+ |
SOP-8 |
40208 |
原装分销 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
SOP-8 |
3675 |
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IR |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 |
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- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
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- TD62308APG
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