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IRF7507	文件：216.02 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V) N-Ch P-Ch VDSS 20V -20V RDS(on) 0.135Ω 0.27Ω Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast 文件：216.02 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7507	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 Micro 8 封装的双 N 沟道功率 MOSFET 20 V	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7507PBF	文件：214.18 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET N-Ch P-Ch VDSS 20V -20V RDS(on) 0.135Ω 0.27Ω Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast 文件：214.18 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7507PBF	文件：219.56 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：219.56 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7507PBF	文件：219.56 Kbytes Page：8 Pages	Generation V Technology 文件：219.56 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7507PBF_15	文件：219.56 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：219.56 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7507TRPBF	文件：219.56 Kbytes Page：8 Pages	Generation V Technology 文件：219.56 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
Micro8 (MO-187)
VDS max：
20.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
140.0mΩ
RDS (on)(@2.7V) max：
200.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
270.0mΩ
RDS (on)(@2.7V) max：
400.0mΩ
Polarity ：
N+P
ID (@ TA=25°C) max：
-1.7A
ID (@ TA=70°C) max：
-1.4A
ID (@ TA=70°C) max：
1.9A
ID (@ TA=25°C) max：
2.4A
Ptot(@ TA=25°C) max：
1.25W
QG ：
5.3nC
QG ：
5.4nC
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd(typ) ：
2.2nC
Qgd(typ) ：
2.4nC
RthJA max：
100.0K/W
Tj max：
150.0°C
VGS max：
12.0V

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更多IRF7507供应商更新时间2025-10-4 15:35:00

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