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IRF7413Z	文件：210.69 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●100TestedforRG Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●ControlandSynchronousRectifier MOSFETforGraphicsCardsandPOL ConvertersinComputing,Netwo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413Z	文件：618.51 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7413；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7413Z	文件：272.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413Z	文件：272.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413ZPBF	文件：266.83 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●100TestedforRG ●Lead-Free Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●ControlandSynchronousRectifierMOSFETforGraphicsCards andPOLConvertersinComputi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413ZUPBF	文件：219.63 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413ZGPBF	文件：292.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413ZPBF	文件：289.79 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413ZPBF_15	文件：289.79 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413ZTR	文件：272.06 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebook Processor Power	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF7413Z
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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