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IRF820A	文件：100.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •Highspeedpowerswitching Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCu	IRF International Rectifier	IRF
IRF820A	文件：240.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandcurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820A	文件：202.74 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •LowRDS(on)=2.0Ω(TYP) •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •RuggedGateOxideTechnology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF820A	文件：168.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820AL	文件：133.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •Highspeedpowerswitching Benefits •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRF820AL	文件：168.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820AL	文件：242.26 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche VoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820ALPBF	文件：272.54 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •Highspeedpowerswitching •Lead-Free Benefits •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheV	IRF International Rectifier	IRF
IRF820ALPBF	文件：168.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820APBF	文件：182.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •Highspeedpowerswitching •Lead-Free Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheV	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF820A
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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