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深圳市坤融电子科技有限公司

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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上海磐岳电子有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市毅创腾电子科技有限公司

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绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!

深圳市一线半导体有限公司

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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芯有半导体（深圳）有限公司

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IOR原厂原装

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只做全新原装真实现货供应

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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一级代理原装现货假一罚十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon Technologies8SOIC

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深圳市盈慧通电子有限公司

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深圳市恒达亿科技有限公司

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全新原装、诚信经营、公司现货销售

深圳市胜彬电子有限公司

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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IRF7467HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC

IRF7467PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7467TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7467TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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