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IRF7910	文件：122.33 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency 3.3V and 5V input Pointof-Load Synchronous Buck Converters for Netcom and Computing Applications ● Power Management for Netcom, Computing and Portable Appl 文件：122.33 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7910PBF	文件：131.66 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency 3.3V and 5V input Point-of-Load Synchronous Buck Converters for Netcom and Computing Applications ● Power Management for Netcom, Computing and Portable App 文件：131.66 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910PBF	文件：223.96 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Low Gate Impedance Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency 3.3V and 5V input Point-of-Load Synchronous Buck Converters for Netcom and Computing Applications ● Power Management for Netcom, Computing and Portable App 文件：223.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910TRPBF	文件：223.96 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Low Gate Impedance Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency 3.3V and 5V input Point-of-Load Synchronous Buck Converters for Netcom and Computing Applications ● Power Management for Netcom, Computing and Portable App 文件：223.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910PBF	文件：229.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：229.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910PBF	文件：223.96 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Low Gate Impedance 文件：223.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910PBF_08	文件：229.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：229.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910PBF_15	文件：223.96 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Low Gate Impedance 文件：223.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910PBF-1	文件：201.2 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：201.2 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

VDS max：
12.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
15.0mΩ
RDS (on)(@2.7V) max：
50.0mΩ
Polarity ：
N+N
ID (@ TA=70°C) max：
7.9A
ID (@ TA=25°C) max：
10.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
QG ：
17.0nC
RthJA max：
62.5K/W
Moisture Sensitivity Level ：
1
VGS max：
12.0V
Qgd(typ) ：
5.2nC
Tj max：
150.0°C

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更多IRF7910供应商更新时间2025-10-7 14:00:00

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