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IRF830A	文件：969.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available 文件：969.36 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830A	文件：141.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss specified ( See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Su 文件：141.49 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF830A	文件：3.49044 Mbytes Page：7 Pages	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Su 文件：3.49044 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF830A	文件：280.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF830A	文件：108.59 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET 文件：108.59 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF830A	文件：1.17388 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.17388 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830A	文件：258.649 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：258.649 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830AL	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www. 文件：242.75 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830AL	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：159.55 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830AL	文件：155.1 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Sup 文件：155.1 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
3100mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±30V
Maximum Drain Source Voltage：
500V
Maximum Continuous Drain Current：
5A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多IRF830A供应商更新时间2025-10-4 13:00:00

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