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IRF830A	文件：969.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830A	文件：3.49044 Mbytes Page：7 Pages	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSu	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830A	文件：141.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF830A	文件：108.59 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF830A	文件：1.17388 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830A	文件：280.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF830A	文件：258.649 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830AL	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830AL	文件：155.1 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgResultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSup	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF830AL	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830ALPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830APBF	文件：161.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRF830AS	文件：155.1 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgResultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSup	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRF830AS_V01	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830ASPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830ASTRL	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IRF830A
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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