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IRF830A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Low gate charge Qg results in simple drive requirement\n• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness\n• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current;	Vishay 威世科技	Vishay
IRF830A	文件：300 bytes Page：1 Pages	SMPS MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF830AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low gate charge Qg results in simple drive requirement\nImproved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness\nFully characterized capacitance and avalanche voltage and current;	Vishay 威世科技	Vishay

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
3100mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±30V
Maximum Drain Source Voltage：
500V
Maximum Continuous Drain Current：
5A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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