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IRF830ASTRLPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：159.55 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830ASTRLPBF	文件：2.23303 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：2.23303 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF830A_17	文件：1.17388 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.17388 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF830ALPBF	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：242.75 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830ALPBF	文件：665.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：665.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF830APBF	文件：258.649 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：258.649 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830APBF-BE3	文件：258.649 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：258.649 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830ASPBF	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：242.75 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830ASPBF	文件：665.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：665.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
3100mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±30V
Maximum Drain Source Voltage：
500V
Maximum Continuous Drain Current：
5A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多IRF830A供应商更新时间2025-10-7 13:00:00

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