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IRF830ALPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：159.55 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF830APBF	文件：161.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss specified ( See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Su 文件：161.59 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF830APBF	文件：969.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available 文件：969.36 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF830APBF	文件：3.49044 Mbytes Page：7 Pages	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Su 文件：3.49044 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF830ALPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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