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IRF830APBF	文件：161.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier	IRF
IRF830APBF	文件：969.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830APBF	文件：3.49044 Mbytes Page：7 Pages	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSu	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830APBF	文件：258.649 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830APBF-BE3	文件：258.649 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830AS	文件：155.1 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=1.40ohm,Id=5.0A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgResultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSup	IRF International Rectifier	IRF
IRF830AS	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830AS	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830ASPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830ASPBF	文件：665.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF830APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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