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IRF830BPBF	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830BPBF-BE3	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830F	文件：384.32 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ➤IRF830is500VHighvoltageN-Channelenhancement modepowerMOS-FETchipfabricatedinadvanced siliconepitaxialplanartechnology; ➤Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltageblockingcapability; ➤AvalancheEnergySpecified; ➤Source-to-DrainDiodeRecove	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF830FI	文件：64.099 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=3.0A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max) •FastSwitchingSpeed •SimpleDriveRequirements APPLICATIONS •Desingedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF830FP	文件：225.25 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES HigherCurrentRating LowerrDS(ON),LowerCapacitances LowerTotalGateCharge TighterVSD	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF830FP	文件：405.68 Kbytes Page：5 Pages	4.5A500VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF830I-HF	文件：100.98 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercialindustrialthroughholeapplications. ▼EaseofParalleling ▼FastSwitchingChar	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF830L	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830LPBF	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830PBF	文件：876.43 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF830BPBF
功能描述：
MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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