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IRF8736PBF	文件：247.95 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG ● Lead -Free Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：247.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF	文件：253.55 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG ● Lead -Free Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：253.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF	文件：253.55 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：253.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF_15	文件：253.55 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：253.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF-1	文件：229.89 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：229.89 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF-1_15	文件：229.89 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：229.89 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)\n• Industry standard surface-mount package\n• Capable of being wave-soldered;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF8736TRPBF-1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
4.8 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
6.8 mΩ
ID @25°C max：
18 A
QG typ @4.5V：
17 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.35 V
VGS(th) max：
2.35 V
VGS(th)：
1.8 V
Technology：
StrongIRFET™

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更多IRF8736PBF供应商更新时间2026-1-23 16:04:00

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