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IRF840	文件：146.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRF840	文件：60.22 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor Avalanche energy rated DESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitched modepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.TheIRF840issuppliedin	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF840	文件：93.43 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO-220 PowerMESH] MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF840	文件：272.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperationarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF840	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF840	文件：150.37 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedsepeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF840	文件：56.91 Kbytes Page：7 Pages	8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF840	文件：170.17 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) 500Volt,0.85OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancelineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgemmetryanduniqueprocessingofthislatestStateoftheArtdesignachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhight	IRF International Rectifier	IRF
IRF840	文件：544.88 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORS N-CHANNEL REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSN-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF
IRF840	文件：152.01 Kbytes Page：1 Pages	Power MOSFET ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A ) PowerMOSFET VDSS=500V,RDS(on)=0.85ohm,ID=8.0A NChannel	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

详细参数

型号：
IRF840
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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