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IRF840	文件：206.7 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET Description Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycap	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF840	文件：132.59 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF840	文件：118.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor Designedforhighvoltage,highspeedswitchingpowerapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelay FEATURES 1.DrainCurrent–ID=8.0A@TC=25℃ 2.DrainSourceVoltage-:VDSS=500V(Min) 3.StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.8	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF840	文件：135.24 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF840	文件：96.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-AC convertersandhighcurrenthighspeedswitchingcircuits.APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffasts	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF840	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF840	文件：5.59401 Mbytes Page：30 Pages	Drives 1 x 70W HID lamp Overview TheIRPLHID2Areferencedesignkitconsistsofacompleteballastsolutionfora70WHIDlamp.ThedesigncontainsanEMIfilter,lowvoltagepowersupply,activepowerfactorcorrectionandaballastcontrolcircuitusingtheIRS2573D.Thisdemoboardisintendedtohelpwiththeevalua	IRF International Rectifier	IRF
IRF840	文件：108.92 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS FEATURE NchannelinaplasticTO220package. Theyareintendedforuseinoff-lineswitchedmodepower supplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies. DC-DCconverters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurpose switchingapplications CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
IRF840	文件：337.85 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION TheNellIRF840areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledevice	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI

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详细参数

型号：
IRF840
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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