IRF830A中文资料威世数据手册PDF规格书
IRF830A规格书详情
FEATURES
• Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
• Effective Coss Specified
• Lead (Pb)-free Available
产品属性
- 型号:
IRF830A
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
12800 |
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IR |
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FAIRCHI |
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IR |
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TO-220 |
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原装 |
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IR |
2023+ |
TO-220AB |
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原装现货 |
询价 | ||
IR |
NEW |
TO-220 |
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TO-263 |
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TO-220 |
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IR/国际整流器 |
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TO-220 |
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