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IRF830A中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF830A

功能描述

Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

文件大小

3.49044 Mbytes

页面数量

7

生产厂商

KERSEMI

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 23:01:00

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IRF830A规格书详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Effective Coss Specified

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed power Switching

产品属性

  • 型号:

    IRF830A

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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