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IRF7464

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A)

SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC convert

文件:168.93 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF7464

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A)

Infineon

英飞凌

IRF7464PBF

HEXET Power MOSFET

SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC convert

文件:125.09 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

LC7464

Infrared Remote Control Transmitter IC

文件:155.06 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

LC7464M

Infrared Remote Control Transmitter IC

文件:155.06 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

QPB7464

CATV 75(ohm) pHEMT Dual RF Amplifier

文件:1.49119 Mbytes 页数:11 Pages

TriQuint

详细参数

  • 型号:

    IRF7464

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多IRF7464供应商 更新时间2025-10-8 13:00:00