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IRF7464	文件：168.93 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconvert	IRF International Rectifier	IRF
IRF7464PBF	文件：125.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconvert	IRF International Rectifier	IRF
LC7464	文件：155.06 Kbytes Page：7 Pages	InfraredRemoteControlTransmitterIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC7464M	文件：155.06 Kbytes Page：7 Pages	InfraredRemoteControlTransmitterIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
QPB7464	文件：1.49119 Mbytes Page：11 Pages	CATV75(ohm)pHEMTDualRFAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
QPB7464SQ	文件：1.49119 Mbytes Page：11 Pages	CATV75(ohm)pHEMTDualRFAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
QPB7464SR	文件：1.49119 Mbytes Page：11 Pages	CATV75(ohm)pHEMTDualRFAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
SI7464DP	文件：192.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel6-V(D-S)FastSwitchingMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7464DP	文件：182.43 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel6-V(D-S)FastSwitchingMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7464DP	文件：368 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel200V(D-S)FastSwitchingMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFETs •NewlowthermalresistancePowerPAK packagewithlow1.07mmprofile •PWMoptimizedforfastswitching •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Primarysideswitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF7464
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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