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IRF7453 | Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A) Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：220.68 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRF7453 | Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A) | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET짰Power MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：175.62 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Triple-Channel Video Reconstruction Filter and Buffer for Composite and Y/C Outputs 文件：166.67 Kbytes 页数：5 Pages | Maxim 美信 | Maxim | ||
Compatible with Standard Video Test Equipment 文件：112.92 Kbytes 页数：6 Pages | Maxim 美信 | Maxim | ||
Triple-Channel Video Reconstruction Filter and Buffer for Composite and Y/C Outputs 文件：166.67 Kbytes 页数：5 Pages | Maxim 美信 | Maxim |
详细参数
- 型号：
IRF7453
- 功能描述：
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原装现货假一罚十 |
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