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IRF7464PBF | HEXET Power MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC convert 文件：125.09 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
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详细参数
- 型号：
IRF7464PBF
- 功能描述：
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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