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IRF7465	文件：106.61 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：106.61 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7465	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 150 V \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7465PBF	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters, Lead-Free SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：133.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7465TRPBF	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	high frequency DC-DC converters SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：133.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7465PBF	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：133.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7465PBF_15	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：133.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7465TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
150 V
RDS (on) @10V max：
280 mΩ
ID @25°C max：
1.9 A
QG typ @10V：
10 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
5.5 V
VGS(th)：
4.25 V
Technology：
IR MOSFET™

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