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深圳市龙瀚电子有限公司

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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深圳市祥瑞智科技有限公司

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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上海金庆电子技术有限公司

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Infineon Technologies8SOIC

9000

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IRSOP8

9600

24+

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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50000

2023+

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Infineon Technologies原装

8000

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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IRF7492TR功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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