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IRF7492PBF	文件：184.04 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：184.04 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7492PBF	文件：189.48 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：189.48 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7492TRPBF	文件：189.48 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：189.48 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
SN7492A	文件：414.2 Kbytes Page：14 Pages	DECADE, DIVIDE-BY-TWELVE AND BINARY COUNTERS 文件：414.2 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN7492A	文件：973.86 Kbytes Page：23 Pages	DECADE, DIVIDE-BY-TWELVE AND BINARY COUNTERS 文件：973.86 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
IRF7492PBF
功能描述：
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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