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IRF7523D1	文件：204.94 Kbytes Page：8 Pages	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V) Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combini 文件：204.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7523D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	FETKY™ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7523D1PBF	文件：185.12 Kbytes Page：10 Pages	Co-packaged HEXFET짰 Power MOSFET and Schottky Diode 文件：185.12 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7626TRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	IR 国际整流器上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	IR
IRF7749L1TRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIRECTFE	INFINEON/英飞凌上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	INFINEON/英飞凌

详细参数

型号：
IRF7523D1
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
FETKY™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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