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IRF7702	文件：138.75 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：138.75 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7702	文件：144.31 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：144.31 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7702	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=-12V)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7702GPBF	文件：233.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance 1.8V Rated Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：233.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7702PBF	文件：184.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：184.83 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7702TR	文件：144.31 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：144.31 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7702TRPBF	文件：190.31 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：190.31 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7702GPBF	文件：243.43 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (1.2mm) Available in Tape & Reel Lead-Free Halogen-Free 文件：243.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF7702
功能描述：
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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