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IRF7704	文件：193.59 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-40V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7704GPBF	文件：250.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7704PBF	文件：198.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
LMP7704	文件：1.40185 Mbytes Page：22 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMP7704	文件：1.4439 Mbytes Page：44 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMP7704	文件：1.2212 Mbytes Page：35 Pages	LMP7701/LMP7702/LMP7704Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMP7704	文件：1.24054 Mbytes Page：31 Pages	LMP7704-SPRadiationHardnessAssured(RHA),Precision,LowInputBias,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMP7704	文件：1.23714 Mbytes Page：29 Pages	LMP7704-SPRadiationHardnessAssured(RHA),Precision,LowInputBias,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMP7704HBH/EM	文件：1.23714 Mbytes Page：29 Pages	LMP7704-SPRadiationHardnessAssured(RHA),Precision,LowInputBias,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMP7704HBH/EM	文件：1.24054 Mbytes Page：31 Pages	LMP7704-SPRadiationHardnessAssured(RHA),Precision,LowInputBias,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
IRF7704
功能描述：
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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