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IRF7607	文件：77.44 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm) Description New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：77.44 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7607	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 Micro 8封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7607PBF	文件：144.23 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：144.23 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7607TRPBF	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Trench Technology Description New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：149.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7607PBF	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：149.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7607PBF_15	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：149.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7607TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
MICRO8
VDS max：
20 V
RDS (on) @4.5V max：
30 mΩ
ID @25°C max：
6.5 A
QG typ @4.5V：
15 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
0.6 V
VGS(th) max：
1.2 V
VGS(th)：
0.9 V
Technology：
IR MOSFET™

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