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IRF7607PBF	文件：144.23 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description NewtrenchHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7607TRPBF	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Trench Technology Description NewtrenchHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7607PBF	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7607PBF_15	文件：149.67 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
KRF7607	文件：80.55 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MT7607H	文件：97.45 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltageLinearLEDDriver	MAXICMaxic Technology,Inc. 美芯晟美芯晟科技（北京）有限公司	MAXIC
N7607B	文件：1.01464 Mbytes Page：9 Pages	SignalStudioforDFSRadarProfiles	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
P7607	文件：173.44 Kbytes Page：11 Pages	SHIELDEDPOWERINDUCTOR	ETAL ETAL Group	ETAL
SDT7607	文件：81.87 Kbytes Page：1 Pages	10AMPSILICONPLANARNPNPOWERTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
IRF7607
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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