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IRF7700	文件：155.24 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V) Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithane	IRF International Rectifier	IRF
IRF7700GPBF	文件：246.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithane	IRF International Rectifier	IRF
L7700	文件：1.56269 Mbytes Page：87 Pages	Core2DuoProcessorsandCore2ExtremeProcessorsforPlatformsBasedonMobile965ExpressChipsetFamily	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
MIC-7700	文件：1.25478 Mbytes Page：3 Pages	CompactFanlessSystemwith6th	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MIC-7700Q	文件：1.29753 Mbytes Page：7 Pages	iFactoryRTM Features SolutionReadyPackage MIC-770V2:Intel®10thGenXeon®/Core™iCPUsocket-type(LGA1200) withIntel®W480Echipset,16GB/32GBDDR4onboardmemory MIC-7700:Intel®6th/7thGenCore™iCPUsocket-type(LGA1151)with Intel®Q170chipset,16GB/32GBDDR4onboardmemory UNO-238:	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MTE7700	文件：54.34 Kbytes Page：2 Pages	VisibleEmitter	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MTE7700N	文件：56 Kbytes Page：2 Pages	RedVisibleEmitter	Marktech Marktech Corporate	Marktech
NJU7700	文件：32.61 Kbytes Page：4 Pages	lowquiescentcurrentvoltagedetector	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
OAS7700	文件：145.18 Kbytes Page：1 Pages	VOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
P7700	文件：912.58 Kbytes Page：12 Pages	P7700SeriesTriModeProbes	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX

详细参数

型号：
IRF7700
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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