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IRF7842PBF	文件：225.92 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：225.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7842PBF	文件：162.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：162.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7842PBF_15	文件：225.92 Kbytes Page：10 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：225.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7842TRPBF	文件：185.33 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：185.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7842TRPBF	文件：1.99547 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.99547 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ISO7842	文件：1.58994 Mbytes Page：37 Pages	ISO7842 ISO7842F High-Performance, 8000 VPK Reinforced Quad-Channel Digital Isolator 文件：1.58994 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
IRF7842PBF
功能描述：
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF7842PBF供应商更新时间2025-9-26 16:21:00

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