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IRF7601TR

Generation V Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

文件:119.4 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

NCV7601

Quad Driver

文件:55.55 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7601P

Quad Driver

文件:55.55 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

PT7601

10 AMP PROGRAMMABLE INTEGRATED SWITCHING REGULATOR

文件:176.79 Kbytes 页数:3 Pages

TI

德州仪器

详细参数

  • 型号:

    IRF7601TR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
25+
TSSOP8
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更多IRF7601TR供应商 更新时间2026-4-19 11:02:00