| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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IRMSOP |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IRPLCC-32 |
18000 |
23+ |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRMICRO-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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IR |
45500 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IR |
1018 |
23+ |
Micro8 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRMicro8 |
19526 |
23+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IRDIP/SMD |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRFMicro8 |
2560 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IR |
70215 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONMSOP-8 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRMicro 8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
11920 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IORMSOP-8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
IRF7526D1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7526D1图片
IRF7526D1TRPBF价格
IRF7526D1TRPBF价格：￥1.6663品牌：International
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IRF7526D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7526D1功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7526D1PBF功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 200mOhms 7.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7526D1TR功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7526D1TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
